발행물
컨퍼런스
SPIE
2011
,
Measurement of nonuniform bowing in GaN/sapphire epi-wafers and subsequent stress analysis by using a theoretical model
Korea-Japan Workshop on Semiconductors for Energy Saving and Harvesting
2010
An explanation of efficiency droop in InGaN-based light emitting diodes: saturated radiative recombination rate at randomly distributed In-rich acvive areas
제 2회 LED 반도체조명학회 국내학술대회
InGaN/GaN LEDs에서 Efficiency droop과 인듐뭉침의 관계에 대한 실험적 조사
다른 온도에서 Intensity Dependent Photoluminescence을 이용한 GaN/InGaN LED의 내부양자효율 측정
Photocurrent Spectroscopy 와 Electroreflectance Spectroscopy를 이용한 InGaN/GaN 다중양자우물의 내부전기장세게의 측정