백상현 연구실은 전자공학부를 기반으로 반도체 메모리 신뢰성, 방사선 내성, 고집적 패키지 결함 진단, 첨단 메모리 테스트 알고리즘 등 반도체 시스템의 핵심 신뢰성 기술을 선도적으로 연구하고 있습니다. 연구실은 DRAM, SRAM 등 다양한 메모리 소자의 신뢰성 저하 원인과 방사선 환경에서의 동작 특성을 실험적·이론적으로 분석하며, 실제 방사선 테스트 플랫폼을 구축하여 소프트 에러, 멀티플 셀 업셋, 싱글 이벤트 업셋 등 다양한 신뢰성 문제를 체계적으로 규명하고 있습니다. 특히, 고에너지 입자(알파, 중이온, 중성자, 양성자 등)에 의한 소프트 에러 특성 분석과 더불어, 신뢰성 향상을 위한 회로 설계 기법(Quatro, DICE, 인터리빙 등)과 에러 검출·정정 알고리즘(ECC, 패리티 코드 등)을 개발하고 있습니다. 이러한 연구는 우주, 항공, 의료, 국방 등 방사선 환경에 노출되는 시스템의 신뢰성 확보에 필수적이며, 차세대 고신뢰성 반도체 메모리 개발에 중요한 기여를 하고 있습니다. 또한, 고집적 반도체 패키지(BGA, FBGA, TSV 등)에서 발생하는 다양한 인터커넥션 결함(솔더볼 크랙, 오픈, 핀홀 등)에 대한 진단 및 분석 기술을 중점적으로 연구합니다. 실제 패키지 구조에서 발생하는 결함의 전기적·물리적 특성을 실험적으로 규명하고, 이를 모사하는 테스트 회로 및 시뮬레이션 기법을 개발하며, 결함 진단을 위한 새로운 테스트 패턴, 신호 분석 방법, 내결함성 설계 기법을 제안하고 있습니다. 메모리 반도체의 결함 검출 성능을 극대화하기 위한 테스트 알고리즘 개발과 결함 커버리지 평가에 대한 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 물리적 결함 모델을 반영한 결함 시뮬레이션, 다양한 테스트 알고리즘의 결함 커버리지 분석, 방사선 주입 실험을 통한 실제 결함 데이터베이스 구축 등 첨단 연구를 수행하고 있습니다. 연구실은 산업통상자원부, 과학기술정보통신부 등 정부 부처 및 주요 반도체 기업과의 산학협력을 통해 실질적인 기술 확산과 산업적 파급 효과를 창출하고 있으며, 국내외 주요 학회 및 저널에 다수의 논문을 발표하고, 다양한 특허 출원을 통해 연구 성과를 공고히 하고 있습니다. 이러한 연구 역량을 바탕으로 차세대 반도체 산업의 신뢰성 및 품질 향상에 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다.