고신뢰 및 고속컴퓨팅 연구실(Reliable and High-Speed Computing Lab.)

전자공학부 백상현

고신뢰 및 고속컴퓨팅 연구실은 전자공학부 소속으로, 고속 메모리 테스트 시스템 개발과 미래 메모리 반도체의 신뢰성 연구에 주력하고 있습니다. 특히, 고온 및 극저온 환경에서의 신뢰성 테스트와 자연 및 우주 방사선이 반도체에 미치는 영향을 연구하며, 서울, 경주, 대전, 캐나다, 스웨덴, 미국 등 다양한 지역에서 방사선 테스트를 수행하고 있습니다. 최근 3년간 DDR4 DRAM의 온도 변화에 따른 오류 분석, FBGA 패키지의 신호 무결성 문제, X-선 방사선을 이용한 DRAM의 행 해머링 문제 등을 다루는 다수의 논문을 발표하였으며, 반도체 메모리 장치의 테스트 방법에 관한 특허를 다수 보유하고 있습니다. 이러한 연구 성과를 통해 반도체 산업의 발전에 기여하고 있으며, 다양한 기업과의 공동 연구를 통해 실질적인 R&D 프로젝트를 수행하고 있습니다.

High-Speed Memory Testing

Radiation Effects on Semiconductors

Reliability in Extreme Environments

대표 연구 분야

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미래 메모리 반도체 신뢰성 연구

고신뢰 및 고속컴퓨팅 연구실은 미래 메모리 소자의 신뢰성 연구를 중점으로 하고 있습니다. 이 연구는 다양한 환경 조건에서 메모리 소자의 성능과 신뢰성을 평가합니다. 고온, 저온, 방사선 등의 극한 환경에서 메모리 소자가 어떻게 작동하는지를 분석하며, 이를 통해 메모리 소자의 내구성을 극대화하는 방법을 모색합니다. 특히, DDR4와 같은 최신 메모리 기술에 대한 깊이 있는 분석과 테스트를 통해 반도체 소자의 신뢰성을 높이는 데 주력하고 있습니다.

자연 및 우주 방사선에 의한 반도체 영향 테스트 연구

고신뢰 및 고속컴퓨팅 연구실은 자연 및 우주 방사선이 반도체 소자에 미치는 영향을 연구하고 있습니다. 서울, 경주, 대전, 캐나다, 스웨덴, 미국 등 다양한 장소에서 방사선 테스트를 실시하여, 각 지역의 방사선 조건이 반도체 소자에 미치는 영향을 분석합니다. 이를 통해 방사선 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있는 반도체 소자의 개발에 기여하고 있습니다. 또한, 방사선으로 인한 반도체 소자의 오류를 최소화하는 방법을 연구하여, 고신뢰성 반도체 소자의 개발을 위한 기반을 마련하고 있습니다.

주요 논문

발행물 전체보기

DDR4 Ball Grid Array package intermittent fracture effect on signal integrity

Muhammad Waqar, Young-bin Chang, Junhyeong Kwon, Jeong-Hwan Kim, Sanghyeon Baeg

IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, 2023

Temperature Estimation of HBM2 Channels with Tail Distribution of Retention Errors in FPGA-HBM2 Platform

Junhyeong Kwon, Shi-Jie Wen, Rita Fung, Sanghyeon Baeg

Electronics, 2023

Divulge of Root Cause Failure in Individual Cells of 2x nm Technology DDR4 DRAM at Operating Temperature

Nosheen Shahzadi, Myungsang Park, Donghyuk Yun, Sanghyeon Baeg

IEEE Transactions on Electron Devices, 2022