안지훈 연구실
한양대학교 차세대반도체융합공학부
안지훈 교수
원자층증착(ALD)
플라즈마보조원자층증착(PEALD)
초극박막
안지훈 교수 연구실
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안지훈 연구실
한양대학교 차세대반도체융합공학부 안지훈 교수
안지훈 연구실은 차세대 반도체 소자에 적용되는 박막 소재와 증착 공정의 원천 기술을 확보하는 데 집중하고 있습니다. 원자층 증착, 플라즈마 보조 원자층 증착, 전기 퍼텐셜 보조 공정 등 반응 동역학 기반 증착 전략을 사용해 초극박막의 연속막 형성과 전기적 성능을 제어합니다. 또한 DRAM 커패시터용 고유전율·강유전 초극박막과 전극-유전체 어셈블리 계면 공정을 설계하며, 대면적 원자층 증착 장비와 2차원 반도체 단층/2D 소재의 공정성을 바탕으로 트랜지스터 및 광센서 응용으로 확장하는 연구를 수행합니다.
원자층증착(ALD)플라즈마보조원자층증착(PEALD)초극박막고유전율·강유전 박막DRAM 커패시터
대표 연구 분야
연구 영역 전체보기
원자층증착 기반 초극박막 저저항 금속 및 초기 성장 제어 공정 연구
Ultrathin Low-Resistivity Metal Films and Initial Growth Control via Atomic Layer Deposition
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원자층증착 기반 초극박막 저저항 금속 및 초기 성장 제어 공정 연구
Ultrathin Low-Resistivity Metal Films and Initial Growth Control via Atomic Layer Deposition
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DRAM 커패시터용 고유전율·강유전 초극박막 및 계면 공정 연구
High-k and Ferroelectric Ultrathin Dielectrics for DRAM Capacitors and Interface Engineering
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주석계 2차원 반도체 및 2D 소자용 박막/포토레지스트 상 제어 연구
Phase-Controlled Tin-Based 2D Semiconductors and Tin Hybrid Photoresists for Device Materials
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
5개년 연도별 논문 게재 수
60총합
5개년 연도별 피인용 수
586총합
주요 논문
5
논문 전체보기
1
article
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인용수 7
·
2025High-Performance Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Synthetic Monolayer MoS2
Moonyoung Jung, Hyo‐Bae Kim, Yungyeong Park, Jeong-Min Park, Hyeonseo Lee, Seunghyun Oh, Ki Kang Kim, Ji‐Hoon Ahn, Yeonghun Lee, Junhong Na, Dongseok Suh
IF 16 (2025)
ACS Nano
이 접근법은 대면적 통합의 잠재력을 시사하며, 저전압 작동을 신뢰성 있고 재현 가능하게 구현함을 보여준다. 또한 소스/드레인 접촉 저항을 감소시키는 것(인듐 금속 접촉을 통해 달성)이 단층 2D vdW NCFET의 성공적인 구현에 필수적임을 추가로 확인하였다.
https://doi.org/10.1021/acsnano.4c18973
Materials science
Monolayer
Field-effect transistor
Capacitance
Optoelectronics
Transistor
Nanotechnology
Negative impedance converter
Engineering physics
Electrical engineering
2
article
|
·
인용수 6
·
2025Molecular layer deposition of tin-based organic–inorganic hybrid films as photoresists
Dong Geun Kim, Kyungryul Ha, Hyekyung Kim, Woo‐Hee Kim, Tae Joo Park, Ji‐Hoon Ahn
IF 6.9 (2025)
Applied Surface Science
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.162240
Tin
Layer (electronics)
Deposition (geology)
Materials science
Chemical engineering
Nanotechnology
Chemistry
Metallurgy
Geology
3
article
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인용수 13
·
2024Highly area-selective atomic layer deposition of device-quality Hf1-xZrxO2 thin films through catalytic local activation
Hyo‐Bae Kim, Jeong‐Min Lee, Dougyong Sung, Ji‐Hoon Ahn, Woo‐Hee Kim
IF 13.2 (2024)
Chemical Engineering Journal
https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.150760
Atomic layer deposition
Catalysis
Layer (electronics)
Deposition (geology)
Materials science
Thin film
Chemical engineering
Atomic layer epitaxy
Nanotechnology
Chemistry
최신 정부 과제
26
과제 전체보기
1
2025년 3월-2029년 12월
|242,715,000원유전율 100이상의 초극박막 소재 및 3D DRAM 향 커패시터 집적 공정 개발
[최종목표]ㅇ 유전율 100 이상의 초극박막 (5 nm 이하) 소재 및 3D DRAM 향 커패시터 집적 공정 개발 ① ALD 기반 TiO2 또는 2차원 층상구조 유전체 두께 및 조성 제어 기술 개발 ② 격자 정합성을 고려한 4종 이상의 기능성 전극 및 dangling-free 계면층 도입 및 최적화③ 극박막 영역에서 고품위 결정화를 위한 고등 ALD 공정 ...
디램 커패시터
초고유전율
극박막
계면 공학
2차원 소재
2
2025년 3월-2029년 12월
|232,850,000원Non-noble 메탈 소재 기반 페로브스카이트 전극/유전체 어셈블리 개발
[최종목표]ㅇ DRAM 커패시터용 non-noble 메탈 기반 페로브스카이트 구조 고유전막/전극막 증착공정 기술개발[1차년도 목표]ㅇ VO2, MoO2 ALD 공정 셋업, SrVO3, SrMoO3 ALD 공정 개발, SrTiO3 ALD 공정 셋업,[2차년도 목표]ㅇ SrTiO3 박막 물성 최적화, SrVO3/SrMoO3 결정구조 확보, SrTiO3/SrVO...
디램
전극
고유전체
페로브스카이트
커패시터
3
2023년 3월-2025년 12월
|1,000,000,000원차세대 하이브리드 본딩용 다층 구리 재배선 및 저저항 복합 배선 EP/ALD 융합공정 개발
차세대 하이브리드 본딩을 위한 다층 구리 재배선 기술 및 저저항 복합 배선을 위한 ALD/EP 융합공정 개발1. Ru, Mo 기반 극박막에서 낮은 비저항을 확보하기 위한 ALD 공정 기술 개발 및 배선 소재 적용을 위한 특성 확보2. 배선 소재 평탄화 및 ALD/EP 공정 적용을 위한 배선 소재의 영역선택적 증착 기술 및 원자층에칭 공정 개발3. 복합배선 ...
패키징
금속 배선
재배선
원자층증착법
도금
최신 특허
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전체 특허
탄소 나노 섬유 복합체의 제조 방법
상태
등록출원연도
2021출원번호
1020210099173강유전성 박막 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 소자
상태
등록출원연도
2021출원번호
1020210059119핵 생성 동역학 조절을 이용한 2차원 전이금속-칼코겐 화합물의 제조 방법
상태
등록출원연도
2015출원번호
1020150117869연구실 하이라이트
연구실의 정보를 AI가 요약해서 키워드 중심으로 정리해두었어요
세계최초
초저저항 금속 박막 구현: 차세대 인터커넥트 혁신
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상용화성공
후속 열처리 없이 구현하는 강유전 박막 기술
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기술파급력
DRAM 커패시터 혁신: 고유전율·저누설 초극박막 플랫폼
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세계최초
대면적 2D 반도체 합성: 산업 공정 수준의 MoS2 플랫폼
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글로벌특허
초정밀 선택적 증착·식각 기술로 구현하는 원자 단위 공정
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연구자역량
산업·학계가 동시에 인정한 공정·소자 융합 연구 전문성
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