주요 논문
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*2026년 기준 최근 6년 이내 논문에 한해 Impact Factor가 표기됩니다.
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Article
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인용수 0
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2026Light‐Induced Entropy for Secure Vision
Juhyung Seo, Seungme Kang, Chaehyun Kim, Taehyun Park, Youngwoo Yoo, Yeong Kwon Kim, Yeong Kwon Kim, Wonjun Shin, Byung Chul Jang, Young‐Joon Kim, Young‐Joon Kim, Hocheon Yoo
IF 26.8 (2026)
Advanced Materials
QD) 층에서, 해당 장치는 확률적 트래핑-드트래핑(trapping-de-trapping) 동역학을 유도하여 광 펄스 열에 의해 무작위 광스파이크 전류를 생성한다. 스파이크 전류는 높은 엔트로피를 보이며, 2진을 넘어 다단계 난수 생성을 가능하게 하여, 근이상적 통계를 갖는 3진(ternary) 출력(33.30% 균일성, 33.28% 인터-해밍 거리)과 모든 15개 NIST 테스트에서의 완전한 성공을 제공한다. 우리는 나아가 PS-TRNG를 모바일 플랫폼 및 맞춤 설계된 회로 기판과 통합함으로써, 무단 이미지 수정에 대한 하드웨어 기반 탐지를 가능하게 하는 이미지 진위성 검증 시스템을 개발한다. 난수는 시각적 품질을 저하시키지 않은 채 이미지 데이터 내에 숨은 층(hidden layer)으로 삽입되어, 무단 수정 여부를 탐지할 수 있게 한다. 이 시스템은 AI 기반 이미지 편집 도구로 생성된 고도로 정교한 조작을 포함하는 경우에도 이미지 수정을 성공적으로 식별할 수 있다. 또한 본 장치는 200만 사이클 동안 안정적으로 동작하며, 460일이 넘는 기간 이후에도 신뢰성을 유지하여 장기 안정성을 입증한다.
https://doi.org/10.1002/adma.202516947
Randomness
Random number generation
NIST
Entropy (arrow of time)
Probabilistic logic
Histogram
Image (mathematics)
Random access
Image processing
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Article
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인용수 5
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2025Steep‐Slope CuInP 2 S 6 Ferroionic Threshold Switching Field‐Effect Transistor for Implementation of Artificial Spiking Neuron
Sungpyo Baek, Young Kwon Kim, Sang‐Min Lee, Sang‐Min Lee, HaeJu Choi, Ji‐Sang Park, Byung Chul Jang, Sungjoo Lee, Sungjoo Lee
IF 26.8 (2025)
Advanced Materials
이온 마이그레이션은 상전이를 유도하여 급격한 저항 스위칭과 효율적인 스파이킹을 발생시킨다. 이 장치는 보조 리셋 회로를 필요로 하지 않으면서, 누설 적분-발화(leaky integrate-and-fire), 역치 튜닝, 그리고 시공간 동역학을 포함한 핵심 신경 역동을 성공적으로 모사한다. 또한, CIPS 기반 시냅스 및 뉴런 소자를 통합하여 SNN을 구성하고, 비지도 학습 접근법을 사용하여 얼굴 분류 성능을 평가하였으며, 뉴런 소자의 측면 억제(lateral inhibition) 기능을 통해 95.83%의 인식 정확도를 달성하였다. 이러한 결과는 차세대 SNN 기반 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템을 위한 에너지 효율적인 스파이킹 뉴런 소자 응용에서 CIPS TS-FET의 잠재력을 보여준다.
https://doi.org/10.1002/adma.202506921
Materials science
Transistor
Field-effect transistor
Field (mathematics)
Optoelectronics
Artificial neuron
Nanotechnology
Electrical engineering
Artificial neural network
Voltage
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Article
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인용수 3
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2025A Van der Waals Optoelectronic Synapse with Tunable Positive and Negative Post‐Synaptic Current for Highly Accurate Spiking Neural Networks
Hye‐Jin Yoon, Soeun Park, Yeong Kwon Kim, Juhwan Baek, Ki Han Kim, Seongil Yun, Hyeonchang Son, Jeong-Ho Choi, Byung Chul Jang, Dong‐Ho Kang
IF 19 (2025)
Advanced Functional Materials
Spiking 신경망(SNNs)은 스파이크 신호를 통해 정보를 처리하고 저장함으로써 인간 두뇌의 작동 방식을 밀접하게 모사하는, 뉴로모픽 하드웨어를 위한 유망한 컴퓨팅 아키텍처로 주목받고 있다. 그러나 최근 하드웨어 SNN 구현을 위해 제안된 대부분의 시냅스 소자는 단일 도전성 극성(conductance polarity) 내에서의 아날로그 튜닝만을 보일 수 있어, 확장 가능하고 에너지 효율적인 뉴로모픽 시스템을 구현하기에는 부적절하다. 본 연구에서는 단일 소자 내에서 양(+)과 음(−)의 상태 모두에 걸쳐 도전도(conductance) 조절이 가능하도록 하는 ReS 2 /WSe 2 / h‐BN 이종구조 기반의 광전자 시냅스 소자를 제시하고, 이를 통해 양방향 도전도 조절이 가능함을 입증하였다. 이러한 양방향 가소성(bidirectional plasticity)은 O 2 플라즈마 처리된 h‐BN 가중치 제어(weight-control) 층을 통해 인가되는 전압 펄스에 의해 유도된 WSe 2 페르미 준위(Fermi level)의 정전기적 변조에서 기인한다. 해당 소자는 가역적인 광전류 극성, 시냅스 후시냅스 전류의 신뢰성 있는 강화/약화(potentiation/depression), 그리고 재현 가능한 다중 사이클 동작과 함께 시냅스 가중치의 안정적인 유지 성능을 보인다. 1024–20–3 SNN 아키텍처를 사용한 시스템 수준 시뮬레이션에서는 양방향 시냅스의 기능적 우위가 확인되었으며, 네트워크는 20회의 학습 에폭 내에서 95% 초과의 얼굴 인식 정확도를 달성한 반면, 단방향 시냅스 기반 네트워크는 75% 미만에서 정체되었다. 이러한 결과는 양방향 가소성을 갖는 광전자 시냅스 소자가 차세대 뉴로모픽 하드웨어 시스템에서 효율적인 온칩 학습을 위한 유망한 소자 플랫폼이 될 수 있음을 시사한다.
https://doi.org/10.1002/adfm.202519498
Neuromorphic engineering
Spiking neural network
Scalability
Synaptic weight
Conductance
Artificial neural network
Photocurrent
Modulation (music)
Spike-timing-dependent plasticity
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Article
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인용수 5
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2025Rolling the Dice with Light Competition: Introducing a True Random Number Generator Powered by Photo‐Induced Polarity Current
Taehyun Park, Juhyung Seo, Nam Ju Kim, Chaehyun Kim, Yeong Jae Kim, Yeong Jae Kim, Hyeonghun Kim, Hyun Ho Kim, Seyong Oh, Dong Chan Kim, Donghee Son, Jaehyun Hur, Young‐Joon Kim, Young‐Joon Kim, Byung Chul Jang, Hocheon Yoo
IF 26.8 (2025)
Advanced Materials
하드웨어 기반 보안 솔루션에 대한 추구는 진정한 난수 생성기(TRNG)의 중요성을 부각시켰다. 잡음 생성부터 양자 물리학의 복잡성에 이르기까지 다양한 물리적 현상이 난수 생성을 위해 탐구되어 왔다. 본 연구에서는 파장 의존적 광전류 생성과 아크 방전 조사(irradiation)를 특징으로 하는 아크 방전 광유도 TRNG(ALTRNG)를 제안한다. 쌍극성 광응답형 포토디텍터(BPPD)는 ‘1’과 ‘0’의 상태를 구분하여, 미국 국립표준기술연구소(National Institute of Standards and Technology, NIST)의 15개 테스트로 검증된 고도로 무작위적인 비트를 생성한다. BPPD의 심자외선(DUV) 및 청색광에 대한 응답은 아크 방전 조명 하에서 구별되는 광전류 생성을 가능하게 한다. ALTRNG는 진정한 무작위 신호를 생성하여 예측 불가능성, 균일한 분포 및 안정성을 갖는 비트 스트림을 산출한다. 판독 회로에서 2-kbps의 성능을 달성함으로써 무선 난수 전송을 시연하였으며, 이는 보안 비밀번호 시스템 및 인공 X-선 이미지 생성을 위한 잠재력을 강조한다.
https://doi.org/10.1002/adma.202419579
Dice
Polarity (international relations)
Materials science
Current (fluid)
Generator (circuit theory)
Competition (biology)
Nanotechnology
Optoelectronics
Electrical engineering
Power (physics)
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Article
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인용수 33
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2024Spiking Neural Network Integrated with Impact Ionization Field‐Effect Transistor Neuron and a Ferroelectric Field‐Effect Transistor Synapse
Haeju Choi, Sungpyo Baek, Hanggyo Jung, Taeho Kang, Sang‐Min Lee, Sang‐Min Lee, Jongwook Jeon, Byung Chul Jang, Sungjoo Lee, Sungjoo Lee
IF 26.8 (2024)
Advanced Materials
FET 뉴런과 2D FeFET 시냅스를 구성하였으며, 비지도 학습을 통해 얼굴 분류 과제에서 87.5%의 높은 정확도를 달성하였다. 2D SNN을 2D 급경사 스위칭 스파이킹 신경 소자 및 2D 시냅스 소자와 통합한 결과, 에너지 효율 및 계산 능력이 향상된 뉴로모픽 시스템 개발에 큰 잠재력이 있음을 보여주었다.
https://doi.org/10.1002/adma.202406970
Neuromorphic engineering
Spiking neural network
Synapse
Materials science
Transistor
Artificial neural network
Computer science
Neuroscience
Artificial intelligence
Voltage