황철성 연구실
서울대학교 재료공학부
황철성 교수
원자층증착(ALD)
저온·고순도 CVD
3차원 적층형 DRAM
황철성 교수 연구실
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황철성 연구실
서울대학교 재료공학부 황철성 교수
황철성 연구실은 유전(반도체)재료와 Thin dielectrics 형성을 위한 박막증착 공정 기술을 기반으로 고집적 반도체 소자 공정을 연구합니다. 저온·고순도 CVD 및 원자층 증착 접근을 중심으로 3차원 적층형 DRAM과 비휘발성 메모리의 재료·공정 이슈를 검토하고, 멤리스터 기반 인메모리 컴퓨팅을 위해 원자층 증착 기반 초격자 상변화 소재와 저항변화 소자 개발을 수행합니다. 또한 자기정류 특성을 갖는 멤리스티브 크로스바 어레이 구조를 이용해 그래프 데이터의 물리적 표현과 그래프 임베딩·분석용 뉴로모픽 하드웨어를 구현하는 연구를 병행합니다.
원자층증착(ALD)저온·고순도 CVD3차원 적층형 DRAM멤리스터저항변화메모리
대표 연구 분야
연구 영역 전체보기
유전 박막 기반 고집적 반도체 공정 기술
Dielectric Thin-Film Processing for High-Integration Semiconductor Devices
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유전 박막 기반 고집적 반도체 공정 기술
Dielectric Thin-Film Processing for High-Integration Semiconductor Devices
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원자층 증착 기반 상변화 멤리스터 소재·소자 개발
Atomic-Layer-Deposition-Based Phase-Change Memristor Materials and Devices
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자기정류 크로스바 어레이 기반 그래프 뉴로모픽 컴퓨팅
Self-Rectifying Memristive Crossbar Arrays for Neuromorphic Graph Computing
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
5개년 연도별 논문 게재 수
169총합
5개년 연도별 피인용 수
5,198총합
주요 논문
5
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1
review
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인용수 14
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2022Publisher Correction: The fundamentals and applications of ferroelectric HfO2
Uwe Schroeder, Min Hyuk Park, Thomas Mikolajick, Cheol Seong Hwang
IF 83.5 (2022)
Nature Reviews Materials
https://doi.org/10.1038/s41578-022-00443-y
Ferroelectricity
Materials science
Nanotechnology
Engineering physics
Optoelectronics
Physics
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review
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인용수 612
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2022The fundamentals and applications of ferroelectric HfO2
Uwe Schroeder, Min Hyuk Park, Thomas Mikolajick, Cheol Seong Hwang
IF 83.5 (2022)
Nature Reviews Materials
https://doi.org/10.1038/s41578-022-00431-2
Ferroelectricity
Materials science
Engineering physics
Nanotechnology
Polarization (electrochemistry)
Phase (matter)
Optoelectronics
Dielectric
Chemistry
Physics
3
article
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인용수 30
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2022Atomic Layer Deposition of Sb2Te3/GeTe Superlattice Film and Its Melt‐Quenching‐Free Phase‐Transition Mechanism for Phase‐Change Memory
Chanyoung Yoo, Jeong Woo Jeon, Seungjae Yoon, Yan Cheng, Gyuseung Han, Wonho Choi, Byongwoo Park, Gwangsik Jeon, Sangmin Jeon, Woohyun Kim, Yonghui Zheng, Jong‐Ho Lee, Jun‐Ku Ahn, Sunglae Cho, Scott B. Clendenning, I. V. Karpov, Yoon Kyung Lee, Jung‐Hae Choi, Cheol Seong Hwang
IF 29.4 (2022)
Advanced Materials
합금화 및 그에 이은 용융-급냉 없이 무정질화. SL에서 FCC 구조로의 구조적 전이에 의해 유도된 면내 압축 응력은 FCC 구조의 [111] 방향을 따라 Ge의 전자이동(electromigration)을 강화하며, 이는 이러한 현저한 개선을 가능하게 한다. 설정 동작 스위치는 무정질상을 (111) 정렬을 갖는 FCC 구조로 전환한다.
https://doi.org/10.1002/adma.202207143
Materials science
Superlattice
Quenching (fluorescence)
Amorphous solid
Alloy
Tin
Phase (matter)
Atomic layer deposition
Layer (electronics)
Electromigration
최신 정부 과제
73
과제 전체보기
1
2025년 3월-2027년 12월
|675,000,000원파운드리향 ACiM 소자의 설계 패러미터 도출 및 공정 개선안 연구
본 연구과제는 차세대 아날로그 인메모리 컴퓨팅(ACiM) 구현을 위한 1k급 1T1R 어레이 기반 반도체 개발을 목표로 함. 기존의 디지털 기반 연산 방식은 높은 전력 소모와 데이터 이동에 따른 병목 현상으로 인해 AI 연산 성능 및 효율성 개선에 한계가 있으며, 이를 해결하기 위해 메모리와 연산을 통합하는 ACiM 기술이 주목받고 있음. 이를 위해 소자-...
저항변화메모리
멤리스터
어레이
인메모리 컴퓨팅
파운드리
2
2025년 3월-2027년 12월
|900,000,000원파운드리향 ACiM 소자의 설계 패러미터 도출 및 공정 개선안 연구
본 연구과제는 차세대 아날로그 인메모리 컴퓨팅(ACiM) 구현을 위한 1k급 1T1R 어레이 기반 반도체 개발을 목표로 함. 기존의 디지털 기반 연산 방식은 높은 전력 소모와 데이터 이동에 따른 병목 현상으로 인해 AI 연산 성능 및 효율성 개선에 한계가 있으며, 이를 해결하기 위해 메모리와 연산을 통합하는 ACiM 기술이 주목받고 있음. 이를 위해 소자-...
저항변화메모리
멤리스터
어레이
인메모리 컴퓨팅
파운드리
3
2024년 4월-2029년 4월
|118,517,000원그래프 데이터의 물리적 표현에 기반한 고성능 그래프 컴퓨팅 하드웨어 개발
[연구 과제 최종 목표]신구조 크로스바 어레이와 캐패시터를 집적한 그래프 컴퓨팅 하드웨어 개발 및 이를 이용한 고효율 그래프 분석, 비다항 난해 문제 해결, 그래프 뉴럴 네트워크 구현.[하드웨어 최종 목표]-캐패시터 어레이 집적된 100 x 100 그래프 하드웨어 제작 및 메모리와 그래프 처리 기능 구현-32 x 32 x 3 홀타입 수직형 그래프 어레이 제...
그래프 컴퓨팅
인-메모리 컴퓨팅
고집적 하드웨어
원자층 증착
그래프 뉴럴 네트워크
최신 특허
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그래프 데이터 분석에 적용 가능한 크로스바 어레이 소자, 이를 포함하는 뉴로모픽 소자, 크로스바 어레이 소자의 동작 방법 및 크로스바 어레이 소자를 이용한 그래프 데이터 분석 방법
상태
등록출원연도
2024출원번호
1020240107901반도체 메모리 소자 및 이의 제조방법
상태
공개출원연도
2024출원번호
1020240097513양극성 2차원 반도체를 이용한 재구성 가능한 전자 소자, 그 제조 방법 및 이를 이용한 논리 소자
상태
등록출원연도
2024출원번호
1020240082956