조병진 교수 연구실
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Improvement of the Bias Stress Stability in 2D MoS2 and WS2 Transistors with a TiO2 Interfacial Layer
조병진, 박우진, 박유신, 장혜연, 남재현, 김태현, 오세영, Yonghun Kim, 최승목
NANOMATERIALS, 201908
62
Improved electrical performance of a sol-gel IGZO transistor with high-k Al2O3 gate dielectric achieved by post annealing
조병진, 이에스더, 김태현, 이승원, 김지훈, 김자은, 안지훈, 정태군
NANO CONVERGENCE, 201907
63
Facile fabrication of ZnO nanowire memory device based on chemically-treated surface defects
윤조호, 민정욱, 박유신, 장혜연, 남재현, 김태현, 박우진, 조병진
NANOTECHNOLOGY, 201904
64
Low Power Switching Characteristics of CNT Field Effect Transistor Device with Al-Doped ZrHfO2 Gate Dielectric
안지훈, 최승목, 채홍철, 최정훈, 김동준, 이승원, 오세영, 조병진
JOURNAL OF NANOMATERIALS, 201810
65
Three-Dimensional Atomistic Tomography of W-Based Alloyed Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides
조병진, 서주연, 황교진, 백성일, 이수련, 조유현, 최민석, 함명관, 김윤준
ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES, 201809
66
Temperature-dependent electronic charge transport characteristics at MoS2/p-type Ge heterojunctions
손승배, 홍웅기, 김용훈, 조병진, 최철종
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 201808
67
Scalable integration of periodically aligned 2D-MoS2 nanoribbon array
조병진, 김용훈, 박유신, 정욘길, 김영훈, 김우철, 임남수, 정지영, 민정욱, 박우진, 김태욱, S. Mitra, K.KIM, B. Xin, 정건영, I. S. Roqan
APL MATERIALS, 201807
68
Self-Formed Channel Devices Based on Vertically Grown 2D Materials with Large-Surface-Area and Their Potential for Chemical Sensor Applications
김채은, 박태언, 박준철, 권세훈, 안지훈, 조병진, 최선영, 서승용, 김용훈
SMALL, 201804
69
Enhanced Performance of MoS2 Photodetectors by Inserting an ALD-Processed TiO2 Interlayer
Kalaivanan Loganathan, Iman, 박유신, Somak Mitra, Yogeenth Kumaresan, 박우진, Assa Aravindh Sasikala De, 조병진, 정건영, 김용훈, Muhammad M. Hussain
SMALL, 201802
70
Room-Temperature Solid-State Grown WO3-delta Film on Plastic Substrate for Extremely Sensitive Flexible NO2 Gas Sensors
김용훈, 류정호, 황건태, 조병진, 장호원, Venkateswarlu Annapureddy, 최종진, 김성대
ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 201801
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