LOD가 11.8에서 1.4 ppb로 감소하였다. 또한 각 가스의 고유한 확산 특성을 신호 판독 조건을 단순히 조정함으로써 반영하는, 가스 특이적 신호 패턴을 얻기 위한 방법이 제시된다. 이 접근법은 단 하나의 센서만으로 서로 다른 네 가지 가스를 정확히 식별할 수 있음을 보여준다.

화학흡착을 조절하기 위한 기술의 발전은 다양한 응용 분야를 크게 진전시켰다. 본 연구에서는 흡착제의 캐리어 농도를 조절함으로써 화학흡착을 조절할 수 있는 널리 적용 가능한 방법을 제시한다. 우리는 n형 및 p형 흡착제 모두에서, 흡착제의 전자 농도 증가가 산화성 흡착물(oxidizing adsorbates)의 화학흡착을 향상시킨다는 것을 보여준다. 반대로 전자 농도의 감소는 환원성 흡착물(reducing adsorbates)의 화학흡착을 촉진한다. 이러한 결과는 밀도 범함수 이론(density functional theory)에 기반한 제일원리 계산을 통해 검증하였다. 제안된 방법을 통해 흡착물의 흡착 에너지와 흡착물 상태와 페르미 준위(Fermi energy) 사이의 에너지 차이를 조절할 수 있음을 보인다. 또한 조절 방식은 각 흡착물에 대해 서로 다른 효과를 나타낸다. 따라서 조절의 정도는 흡착물 식별을 위한 고유한 지문(fingerprint)으로 활용될 수 있다. 제안된 방법은 반복 가능한 조절을 가능하게 하며, 기존 기술과의 호환성도 갖는다.

가스(0.01 ppm)는 고단백 식품의 부패를 나타내는 마커이다. 개념 증명의 일환으로 닭 안심(tenderloin)의 전체 부패 과정을 모니터링하는 것을 시연한다. 해당 시스템은 부패 과정 전반에 걸쳐 신선도 점수와 식품 상태를 연속적으로 추적할 수 있다. 제안된 AOS 플랫폼은 감지 온도를 변화시키고 프로그래머블 NVM 셀을 사용할 수 있으므로 다양한 응용 분야에 적용 가능하다.

) 농도는 3초 이내이다. 제안된 방법은 금속 산화물 표면을 활용하는 응용 분야에 적용 가능하다고 생각한다.

LOD가 11.8에서 1.4 ppb로 감소하였다. 또한 각 가스의 고유한 확산 특성을 신호 판독 조건을 단순히 조정함으로써 반영하는, 가스 특이적 신호 패턴을 얻기 위한 방법이 제시된다. 이 접근법은 단 하나의 센서만으로 서로 다른 네 가지 가스를 정확히 식별할 수 있음을 보여준다.

화학흡착을 조절하기 위한 기술의 발전은 다양한 응용 분야를 크게 진전시켰다. 본 연구에서는 흡착제의 캐리어 농도를 조절함으로써 화학흡착을 조절할 수 있는 널리 적용 가능한 방법을 제시한다. 우리는 n형 및 p형 흡착제 모두에서, 흡착제의 전자 농도 증가가 산화성 흡착물(oxidizing adsorbates)의 화학흡착을 향상시킨다는 것을 보여준다. 반대로 전자 농도의 감소는 환원성 흡착물(reducing adsorbates)의 화학흡착을 촉진한다. 이러한 결과는 밀도 범함수 이론(density functional theory)에 기반한 제일원리 계산을 통해 검증하였다. 제안된 방법을 통해 흡착물의 흡착 에너지와 흡착물 상태와 페르미 준위(Fermi energy) 사이의 에너지 차이를 조절할 수 있음을 보인다. 또한 조절 방식은 각 흡착물에 대해 서로 다른 효과를 나타낸다. 따라서 조절의 정도는 흡착물 식별을 위한 고유한 지문(fingerprint)으로 활용될 수 있다. 제안된 방법은 반복 가능한 조절을 가능하게 하며, 기존 기술과의 호환성도 갖는다.

가스(0.01 ppm)는 고단백 식품의 부패를 나타내는 마커이다. 개념 증명의 일환으로 닭 안심(tenderloin)의 전체 부패 과정을 모니터링하는 것을 시연한다. 해당 시스템은 부패 과정 전반에 걸쳐 신선도 점수와 식품 상태를 연속적으로 추적할 수 있다. 제안된 AOS 플랫폼은 감지 온도를 변화시키고 프로그래머블 NVM 셀을 사용할 수 있으므로 다양한 응용 분야에 적용 가능하다.

) 농도는 3초 이내이다. 제안된 방법은 금속 산화물 표면을 활용하는 응용 분야에 적용 가능하다고 생각한다.

필름을 제작하였으며, 제안된 센서 플랫폼은 CO 가스 검출에서 어떠한 이점도 보이지 않았다. 제안된 센서의 제작은 기존의 실리콘 기반 공정을 통해 재현 가능하고 저렴하므로, 실제 응용에 매력적이다.

센서 내(in-sensor) 뉴로모픽 컴퓨팅에 대한 수요가 증가함에 따라, 정확도, 면적, 지연시간, 에너지를 시스템 수준에서 함께 평가하는 프레임워크가 동기화되고 있다. 우리는 제작된 FET 기반 가스 센서와 내장 마이크로 히터, 부유 게이트(floating-gated) pMOS 시냅스 어레이, 그리고 펄스폭 변조기(pulse-width modulator, PWM)와 적분-발화(integrate-and-fire, I&F) 뉴런과 같은 처리 회로를 통합하는 플랫폼을 시제품으로 구현하였다. 온도 및 농도 스윕 전반에서 H2S와 NO2에 대한 과도 응답을 사용하여, 3–6개의 입력 센서, 3개의 은닉층(16–128 뉴런), 그리고 2개의 회귀 출력으로 구성된 네트워크를 벤치마킹하였다. 정확도는 더 많은 센서와 더 큰 은닉층에서 향상되며, 64 뉴런을 초과하면 포화된다. 양자화 및 회로 제약은 유계(bounded) 오차를 추가한다. 면적은 센서 개수에는 둔감하지만 은닉 뉴런 수에는 비례하여 증가하며, 고전압 스위치가 면적을 지배한다. 지연시간은 센서에 의해 제한된다. 에너지 소모는 거의 전적으로 마이크로 히터에 의해 결정되며(전체의 ~99.97%), 그 결과 전체 소모 전력은 센서 개수에 매우 민감하고 네트워크 크기에는 상대적으로 둔감하다. 이러한 결과는 정확도, 면적, 지연시간, 에너지 간의 트레이드오프를 규명하고, 히터 효율, 최소 센서 선택, 고전압 스위치 최적화를 소형·고속·에너지 인지(in-energy-aware) 센서 내 뉴로모픽 플랫폼을 설계하기 위한 주요 디자인-기술 공동 최적화(design-technology co-optimization, DTCO) 핵심 요소로 지목한다.

우리는 수직형 NAND(V-NAND) 플래시 메모리의 보유 특성을 향상시키는 동시에 소프트 지우기 시간을 유의미하게 감소시키기 위한 블록 소프트 소거(block soft erase) 방법을 제안한다. 각 셀을 개별적으로 조정하는 기존의 점진적-단계-펄스(erasing)-기반 접근법과 달리, 제안된 방법은 모든 셀에 동시에 단일 소프트 소거 펄스를 적용한다. 상용 트리플 레벨 셀(triple-level-cell) V-NAND 플래시 메모리를 사용한 실험 결과, 워드 라인 위치와 스트링 차이로 인한 셀 간 변동(cell-to-cell variation) 하에서도 여러 프로그램-검증 수준(program-verify levels, PVs)에 걸쳐 Vth 튜닝이 가능함을 보여주었다. 85 °C에서 측정한 보유 특성은 104 s 후 PV7에서 21.6%의 개선을 나타내었다.

28 nm 로직 CMOS 기술(Samsung 28 nm LPP)을 이용해 완전히 구현된 2-트랜지스터(2-T) 내장형 플래시(eflash) 메모리가 제안된다. 제안된 2-T eflash는 추가 공정 단계를 필요로 하지 않는다. 3개 또는 그 이상의 트랜지스터를 사용하는 기존 eflash 메모리와 비교하여, 그리고 6.8 V를 초과하는 프로그램/소거 전압이 요구되던 것에 비해, 제안된 2-T eflash는 소자 수를 감소시키고 동작 전압을 4.5 V로 낮추어 주변 회로 구성을 실질적으로 단순화한다. 저전압 터널링 기반 동작으로 인해 eflash는 10⁷ 사이클을 초과하는 높은 내구성을 보이며, 유지 특성은 80°C의 승온 조건에서 최대 10⁴ s까지 유지된다. 고성능 유지 특성을 보존하면서도, 제안된 eflash는 10⁷ 사이클을 초과하는 내구성을 달성하여, 기존 플래시 메모리 내구성과 비교할 때 거의 2자릿수(두 자릿수) 차이에 해당하는 개선을 보인다. 또한 선택적 프로그램 및 소거 동작이 시연되어 메모리 어레이에서 정밀한 문턱전압 튜닝이 가능함을 보여준다. 이러한 결과는 제안된 2-T eflash가 확장 가능한 컴퓨트-인-메모리 응용을 위한 유망한 후보임을 시사한다.