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246

201

Electrical characteristics of carbon doped GaAs
김용
J. Mat. Sci. Lett. - 직접입력, 1993

202

Low temperature photoluminescence characteristics of carbon doped GaAs
김용
J. Appl. Phys., 1993

203

MOCVD 기법으로 제작한 AlyGa1-yAs/AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs strip-loaded 도파로의 전파손실 측정
김용, 0, 0, 0, 0
응용물리, 1993

204

Properties of center and edge delta-doped GaAs-AlGaAs quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
김용
Appl. Phys. Lett., 1993

205

Characteristics of heavily carbond doped GaAs by LPMOCVD and critical layer thickness
김용
Journal of Crystal Growth - 직접입력, 1993

206

Properties of the quantum wires grown on V-grooved AlGaAs substrates by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition
김용
Appl. Phys. Lett., 1993

207

Hall mobility and temperature dependent photoluminescence of carbon-doped GaAs
김용
Solid State Commun., 1993

208

GaAs 집적회로 제조를 위한 에피성장연구
김용
한국재료학회지, 1993

209

저압 MOCVD 에 의한 GaAs 에피층의 carbon 도핑 특성
김용, 0, 0, 0, 0, 0, 0
응용물리, 1992

210

Strip-loaded 반도체 도파로에서 bend 높이에 따른 복사손실
김용, 0, 0, 0, 0
응용물리, 1992