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246

221

DEEP LEVELS IN GAAS GROWN ON SI DURING RAPID THERMAL ANNEALING
CHO, HY, KIM, EK, KIM, Y, MIN, SK, YOON, JH, CHOH, SH
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1990

222

DEEP ELECTRON TRAPS IN GAAS-LAYERS GROWN ON (100)SI SUBSTRATES BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
KIM, EK, CHO, HY, KIM, Y, KIM, MS, KIM, HS, MIN, SK, YOON, JH, CHOH, SH
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1990

223

STRESS-RELEASED LAYER FORMED BY PULSED RUBY-LASER ANNEALING ON GAAS-ON-SI
KIM, Y, KIM, MS, KIM, EK, KIM, HS, MIN, SK, LEE, HW, KIM, JK, LEE, C
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1990

224

SELENIUM AND SILICON DELTA-DOPING PROPERTIES OF GAAS BY ATMOSPHERIC-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
KIM, Y, KIM, MS, MIN, SK, LEE, CC, YOO, KH
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1990

225

MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구
김용, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0
새물리, 1989

226

MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물구조의 특성평가
김용, 0, 0, 0
새물리, 1989

227

DM 전기로를 사용한 저결함 GaAs 단결정 성장과 특성평가
김용, 0, 0, 0, 0, 0, 0
새물리, 1989

228

Heteroepitaxy of GaAs on silicon substrates by MOCVD
김용
J. Kor. Phys. Soc., 1988

229

In/Ga alloy source 을 이용하여 VPE 법으로 성장한 InGaAs (x<0.03)/GaAs 의 InAs 조성에 따른 밴드갭 및 전위밀도 변화
김용, 0, 0, 0
새물리, 1988

230

(100) 실리콘 기판위에 MOCVD 법으로 성장된 GaAs 에피층의 결정구조 특성
김용
응용물리, 1988