발행물

논문
특허
저서
컨퍼런스

전체 논문

246

211

대기압 MOCVD 를 이용한 AlGaAs/GaAs SCH 단일 양자우물 레이저 다이오드의 제작
김용, 0, 0, 0, 0, 0, 0
응용물리, 1992

212

Behavior of the two-dimensional electron gas in Si delta-doped GaAs grown by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition
김용
J. Mater. Sci. Lett., 1992

213

Diffusion limiting mechanism in Si-delta-doped GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition
김용
Solid State Commun., 1992

214

Electric subbands in Si-delta-doped GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition
김용
Solid State Commun., 1992

215

MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성
김용, 0, 0, 0, 0, 0
전자공학회지 A 편, 1991

216

대기압 MOCVD 법을 이용한 AlGaAs/GaAs HEMT 의 제작
김용, 0, 0, 0, 0
응용물리, 1991

217

MOCVD 법으로 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과
김용, 0, 0, 0, 0, 0
새물리, 1991

218

DISLOCATION-ACCELERATED DIFFUSION OF SI IN DELTA-DOPED GAAS GROWN ON SILICON SUBSTRATES BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
KIM, Y, KIM, MS, MIN, SK, LEE, CC
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1991

219

HYDROGENATION EFFECT ON ELECTRICAL AND OPTICAL-PROPERTIES OF GAAS EPILAYERS GROWN ON SI SUBSTRATES BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
KIM, EK, CHO, HY, KIM, Y, KIM, HS, KIM, MS, MIN, SK
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1991

220

MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장
김용, 0, 0, 0, 0
전자공학회지, 1990