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241

THE INTERFACIAL REACTIONS IN THE W/WNX/POLY SI1-XGEX WITH ANNEALING PROCESS
고대홍
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 200203

242

증착조건 및 열처리 조건에 따른 ZrO2박막의 미세구조와 전기적 특성에 관한 연구
고대홍
한국진공학회지, 200106

243

CO/AL 다층박막구조 시스템에서의 열처리에 따른 계면반응에 관한 연구
고대홍, 강성관, 이상훈
한국전자현미경학회지, 200009

244

Dependence of Y2O3 film growth on the state of the Si surface
조만호, 고대홍, S.W. whangbo, 정광호, 황정남
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 199907

245

열처리에 따른 Y2O3 박막의 미세 구조 변화와 전기적 특성 변화에 대한 고찰
고대홍
J Korea Vacuum Society, 199906

246

Temperature dependence of heteroepitaxial Y2O3 grown on Si by ionized cluster beam deposition
황정남, 정광호, 고대홍, M.H. CHO, S.W. WHANGBO, H.B. KIM
한국진공학회지, 199806

247

고온 열처리에 따른 Y2O3 박막과 (100) 실리콘 기판간의 계면 반응에 관한 연구
고대홍, 강성관, 김은하, 조만호, 황정남
J Kor cer soc, 199806

248

기판 조건에 따른 TiSi2 박막의 형성 및 전기적 특성 변화 고찰
고대홍, 김은하
J Kor cer soc, 199806