본 과제는 10nm급 반도체 소재 부품의 국산화를 목표로, Free-Si가 없는 저항 제어형 CVD 코팅 모재용 상압 소결 New-SiC 기술을 개발하는 연구임. 이는 반도체 제조 공정에서 사용되는 핵심 부품의 성능과 안정성을 높이기 위한 새로운 실리콘 카바이드(SiC) 소재를 개발하는 것임. 연구 목표는 반도체 공정의 대구경화 및 선폭 미세화에 따라 고온 안정성과 내식성이 우수한 New SiC 및 CVD Coated New SiC 원천 소재 개발과 EPITAXY, DIFFUSION 공정용 핵심 부품 제조 기술 확보에 있음. 핵심 연구 내용은 New SiC 소재 양산화, 기계 가공 특성 분석, 조성 개발 및 저항 제어 기술 개발을 포함함. 또한, New SiC 기반 CVD Coating 기술 개발, 가공 및 정제 기술 최적화를 수행하며, EPITAXY 및 DIFFUSION 공정용 Susceptor와 Boat 설계 및 제조 기술을 통해 부품 형상 확보, 열적 특성 개선, 저저항 New SiC 특성 최적화를 추진함. 기대 효과는 Free-Si가 없고 전기저항 제어가 가능한 상압소결 New SiC 소재 개발로 국내 SiC 소재의 세계 시장 경쟁력 확보 및 수입 의존도 높은 고순도 SiC 원료 소재 대체에 기여하는 것임. 이를 통해 반도체 공정용 SiC 제품 제조 시 가공 비용 및 불량률 문제 해결과 함께 관련 산업 활성화 및 고용 창출 효과도 있을 것으로 전망됨.

본 과제는 반도체 제조 공정의 핵심 부품인 실리콘 카바이드(SiC) 소재를 국산화하기 위한 연구임. 특히, Free-Si이 없고 전기 저항 제어가 가능한 새로운 SiC 소재(New-SiC)를 상압소결 방식으로 개발하고, 이를 CVD 코팅 모재로 활용하여 10nm급 반도체 부품을 만드는 기술을 개발하는 것을 목표로 함. 연구 목표는 반도체 공정의 고집적화 및 선폭 미세화에 대응하여 초고순도, 초내플라즈마성, 고안정성, 고수명 특성을 갖는 New-SiC 원천 소재를 개발하는 데 있음. 이를 통해 EPITAXY 공정용 Susceptor 및 Protect Ring, DIFFUSION 공정용 Boat와 같은 핵심 부품을 국산화하는 것임. 핵심 연구 내용은 1차년도에 New SiC 소재 양산화 및 저항 제어 기술 개발, 2차년도에 New SiC를 이용한 CVD Coating 기술 및 정제 기술 개발, 3차년도에 EPITAXY 공정용 Susceptor 및 Ring 설계와 제조 기술 개발, 4차년도에 DIFFUSION 공정용 Boat 설계 및 제조 기술 개발을 포함함. 기대 효과는 Free-Si이 없고 전기저항 제어가 가능한 New SiC 소재의 개발로 국내 SiC 소재가 세계 시장에서 경쟁력을 확보하고, 수입에 의존하던 고순도 SiC 원료 소재를 대체하여 경제적·산업적 측면에서 큰 파급효과를 가져올 것으로 전망됨. 또한, 복잡한 반도체 공정용 SiC 제품 제조 시 가공비용 및 불량률 문제를 해결하고, 다양한 산업 분야로의 확대 적용을 통해 고용 창출에도 기여할 것으로 기대됨.