고대홍 교수 연구실
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다층 터널 배리어 선택소자를 이용한 저항 스위칭 메모리 소자 제조
10-2012-0150533
2012.12
환원반응을 통한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 제조 방법
10-2012-0114333
2012.10
Conductive filament를 조절할 수 있는 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
10-2012-0111603
2012.10
저항 스위칭 메모리 소자 및 제조 방법
10-2012-0039470
2012.04
칼코게나이드 저항체를 이용한 저항 스위칭 메모리 소자 및 제조 방법
10-2012-0039465
2012.04
비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 제조 방법
10-2012-0015265
2012.02
전하 트랩형 비휘발성 메모리 소자의 설계방법.
10-2011-0098672
2011.09
결함이 적은 고유전율 터널 배리어 절연막을 이용한 플래쉬 메모리 소자 형성 방법
10-2011-0055497
2011.06
3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 그 제조방법
10-2011-0021034
2011.03
독립적 메모리 셀 구조를 갖는 3차원 적층 메모리 형태의 저항 스위칭 메모리 제조 방법
10-2011-0016890
2011.02
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