고대홍 교수 연구실
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독립적 메모리 셀 구조를 갖는 3차원 적층 메모리 형태의 저항 스위칭 메모리 제조 방법 및 그 3차원 적층 메모리
10-2011-0016889
2011.02
후속의 ＮＨ₃열처리를 이용한 하프늄옥사이드 산화막의 결정화 조절방법 및 불순물 확산 억제층 형성방법
10-2010-0123383
2010.12
고유전율 물질인 하프늄옥사이드 산화막의 두께 조절을 이용한 게이트 산화막 형성방법 및 이를 이용한 게이트 전극
10-2010-0093895
2010.09
전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법
10-2010-0088306
2010.09
브랜치드 나노와이어의 제조방법
10-2010-0066257
2010.07
비휘발성 저항 스위칭 메모리 제조 방법 및 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
10-2010-0035638
2010.04
반도체 소자의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 반도체 소자
10-2009-0120820
2009.12
비휘발성 저항 스위칭 메모리 제조 방법
10-2009-0109600
2009.11
트랜지스터의 변형 채널 제조 방법
10-2009-0078503
2009.08
얕은 접합층을 갖는 트랜지스터 제조 방법
10-2009-0077997
2009.08
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