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공개2025W 전극 텍스쳐 제어를 통한 산화하프늄-산화지르코늄(HZO) 유전체층 기반 저전력 금속-강유전체-금속 커패시터 및 제조방법1020250026929
공개2025원자층 증착법 기반 TiN 전극의 우선 배향성 제어 기술 및 제조 방법1020250015366
등록2024강유전체 터널 접합 소자 및 이를 포함하는 메모리 장치1020240040698
등록2023극박막 산화하프늄(HfO2) 유전층 기반 금속-강유전체-실리콘 커패시터 및 그 제조 방법1020230015772
등록2022커패시터 및 그 제조 방법1020220058956
전체 특허

W 전극 텍스쳐 제어를 통한 산화하프늄-산화지르코늄(HZO) 유전체층 기반 저전력 금속-강유전체-금속 커패시터 및 제조방법

상태
공개
출원연도
2025
출원번호
1020250026929
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원자층 증착법 기반 TiN 전극의 우선 배향성 제어 기술 및 제조 방법

상태
공개
출원연도
2025
출원번호
1020250015366
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강유전체 터널 접합 소자 및 이를 포함하는 메모리 장치

상태
등록
출원연도
2024
출원번호
1020240040698
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극박막 산화하프늄(HfO2) 유전층 기반 금속-강유전체-실리콘 커패시터 및 그 제조 방법

상태
등록
출원연도
2023
출원번호
1020230015772
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커패시터 및 그 제조 방법

상태
등록
출원연도
2022
출원번호
1020220058956
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