김경록 연구실

전기전자공학과 김경록

전기전자공학과 연구실은 나노스케일 CMOS, 테라헤르츠 검출기, 뉴로모픽 소자 분야에서 활발한 연구를 진행하고 있습니다. 최근 3년간 이 연구실은 실리콘 기반 서브-테라헤르츠 검출기 성능 향상, 이차원 강유전체 소재를 이용한 강유전체 터널 접합 소자 이론 평가, 다중 음의 미분 저항 이종접합 소자 및 회로 응용 등 다양한 연구 성과를 발표했습니다. 또한, 테라헤르츠 검출기와 관련된 다수의 특허를 보유하고 있으며, 저전력 삼진 논리 회로를 위한 논리 합성 방법론 등 혁신적인 연구를 통해 산업계와의 협력 가능성을 높이고 있습니다.

Neuromorphic Devices

Terahertz Detectors

Nanoscale CMOS

대표 연구 분야

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나노스케일 CMOS 기술

나노스케일 CMOS 기술은 차세대 반도체 소자의 성능 향상을 목표로 하는 연구 분야입니다. 이 연구는 주로 고속, 저전력 소자 설계와 제조 기술 개발에 중점을 두고 있습니다. 나노스케일 CMOS 소자는 크기가 작아지면서 발생하는 다양한 스케일링 문제와 변동성을 해결하기 위한 새로운 설계 및 제조 방법론을 요구합니다. 또한, 고성능 논리 회로 및 메모리 소자의 개발을 통해 미래의 전자기기 및 시스템의 효율성을 크게 향상시킬 수 있습니다.

테라헤르츠 검출 기술

테라헤르츠 검출 기술은 테라헤르츠 대역의 전자파를 효과적으로 검출하고 활용하는 것을 목표로 하는 연구 분야입니다. 이 기술은 주로 나노스케일 FET(전계 효과 트랜지스터) 구조를 이용하여 고감도, 고속 검출기를 개발하는 데 중점을 둡니다. 특히, 플라즈모닉 효과를 활용하여 테라헤르츠 검출 성능을 향상시키는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 이러한 기술은 보안, 의료 영상, 통신 등 다양한 응용 분야에서 중요한 역할을 할 수 있습니다.

주요 논문

발행물 전체보기

Performance Enhancement of Silicon-Based Sub-Terahertz Detector by Highly Localized Plasmonic Wave in Nano-Ring FET

E-San Jang, Min Woo Ryu, Ramesh Patel, Sang Hyo Ahn, Ki Jin Han, Kyung Rok Kim

IEEE Electron Device Letters, 2021

Theoretical Evaluation of Two-Dimensional Ferroelectric Material CulnP2S6 for Ferroelectric Tunnel Junction Device

Eunyeong Yang, Kyung Rok Kim, Jiwon Chang

IEEE Electron Device Letters, 2021

Scaling and Variation Predictions for Silicon Fin-Based High Electron Mobility Transistor

Sung-Ho Kim, Jongyul Park, Jiwon Chang, Kyung Rok Kim

IEEE Electron Device Letters, 2020