노용영 교수 연구실
특허
주요 특허
| 상태 | 출원연도 | 과제명 | 출원번호 | 상세정보 |
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클로라이드계 화합물 및 요오드계 화합물을 포함하는 주석계 페로브스카이트를 포함하는 반도체층, 그를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
아자이드가 치환된 플루오렌 중합체로 랩핑된 반도체성 탄소나노튜브의 제조방법 및 이로부터 제조된 아자이드가 치환된 플루오렌 중합체로 랩핑된 반도체성 탄소나노튜브를 포함하는 전자 소자
탄소나노튜브 유기반도체, 이를 포함한 박막트랜지스터, 이를 이용한 화학센서 및 어플리케이션
탄성물질이 포함된 반도체 활성층, 게이트 절연막 및 이들을 포함한 박막트랜지스터
유기절연막 조성물, 유기절연막의 형성방법, 및 상기 유기절연막을 포함하는 유기박막트랜지스터
p형 텔루륨 옥사이드 반도체층을 포함하는 메모리 셀 및 그의 제조방법
h-BN 및 2D 물질 표면에 생성된 페로브스카이트 복합체, 그를 포함하는 전자소자 및 그의 제조방법
스퍼터링을 이용한 텔루륨 옥사이드 박막 및 박막 트랜지스터의 제조방법
인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막, 그를 포함하는 박막 트랜지스터 및 강유전 메모리의 제조방법
연신 박막 트랜지스터, 연신 패널 및 전자 장치