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등록2024우선배향성 결정질을 갖는 인듐계 복합 산화물 반도체층 제조방법 및 인듐계 복합 산화물 반도체층을 포함하는 박막트랜지스터1020240142891
등록2021산화물 반도체 기반의 P-N 접합을 이용한 반도체 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광 검출기1020210075424
등록2021결정성 IZTO 산화물 반도체를 구비하는 박막트랜지스터 및 이의 제조방법1020210018806
등록2018전이금속에 의해 결정화 유도된 다결정질 금속 산화물 채널층 및 알루미늄 산화막을 구비하는 박막트랜지스터 및 수직형 비휘발성 메모리 소자1020180088622
등록2018전이금속에 의해 결정화 유도된 다결정질 금속 산화물 채널층을 구비하는 박막트랜지스터 및 수직형 비휘발성 메모리 소자1020180072751
주요 특허

우선배향성 결정질을 갖는 인듐계 복합 산화물 반도체층 제조방법 및 인듐계 복합 산화물 반도체층을 포함하는 박막트랜지스터

상태
등록
출원연도
2024
출원번호
1020240142891
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산화물 반도체 기반의 P-N 접합을 이용한 반도체 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광 검출기

상태
등록
출원연도
2021
출원번호
1020210075424
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결정성 IZTO 산화물 반도체를 구비하는 박막트랜지스터 및 이의 제조방법

상태
등록
출원연도
2021
출원번호
1020210018806
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전이금속에 의해 결정화 유도된 다결정질 금속 산화물 채널층 및 알루미늄 산화막을 구비하는 박막트랜지스터 및 수직형 비휘발성 메모리 소자

상태
등록
출원연도
2018
출원번호
1020180088622
상세 정보 바로가기

전이금속에 의해 결정화 유도된 다결정질 금속 산화물 채널층을 구비하는 박막트랜지스터 및 수직형 비휘발성 메모리 소자

상태
등록
출원연도
2018
출원번호
1020180072751
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