고대홍 교수 연구실
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Effect of Doped Nitrogen on the Crystallization Behaviors of Ge2Sb2Te5
양인석, 도기훈, 장현진, 고대홍, 손현철
Journal of The Electrochemical Society, 2010
122
Agglomeration of Cylindrically Condensed Cores in Si1-xGex Nanowires by Oxidation
김상연, 이후정, 고대홍
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2010
123
Behavior of Strain at a Thin Ge Pile-up Layer Formed by Dry Oxidation of a Si0.7Ge0.3 Film
민병기, 유정호, 손현철, 고대홍, 조만호, K.-B. Chung, T.-W. Lee
Thin Solid Films, 2010
124
Effect of In incorporated into SbTe on phase change characteristics resulting from changes in electronic structure
장문형, 박승종, 임동혁, 박성진, 조만호, 고대홍, 허민영, 손현철, 김상옥
Applied Physics Letters, 2010
125
Crystallization Behaviors of Laser induced Ge2Sb2Te5 in Different Amorphous State
도기훈, 이도규, 손현철, 조만호, 고대홍
Journal of The Electrochemical Society, 2010
126
Changes in Gd2O3 films grown on Si(100) as a function of nitridation temperature and Zr incorporation
이우정, 조만호, 김영국, 백주혁, 정인승, 정광호, 정권범, 김상연, 고대홍
Thin Solid Films, 2010
127
Oxidation characteristics of Si0.85Ge0.15 nanowires
김상연, 김선욱, 장현진, 성한규, 최헌진, 고대홍
Materials Science In Semiconductor Processing, 2009
128
Electronic Structure of Te/Sb/Ge and Sb/Te/Ge Multi Layer Films Using Photoelectron Spectroscopy
Baeck, JH, Ann, YK, 정광호, 조만호, 고대홍, Oh, JH, Jeong, H
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2009
129
The Effect of NH3 on the Interface of HfO2 and Al2O3 Films on GaAs(100) Surfaces
서동찬, 조영대, 이용식, 고대홍, Chung, KB, 조만호
Electrochemical And Solid State Letters, 2009
130
Phase change behavior in oxygen-incorporated Ge2Sb2Te5 films
M. H. Jang, S. J. Park, D. H. Lim, 조만호, K. H. Do, 고대홍, H. C. Sohn
Applied Physics Letters, 2009
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