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323

221

Slurry에 첨가되는 pH 적정제가 Cu CMP에 미치는 영향 분석
박진구
한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집, 2004

222

Investigation of the fast removal of nano PSL and submicron silica and silicon nitride particles
박진구
SEMICONDUCTOR FABTECH 23rd EDITION, 2004

223

Post Cu CMP Cleaning
박진구
Semiconductor Technology (ISTC 2004), 2004

224

Cu CMP에서 Large sized particles이 연마속도에 미치는 영향
박진구
한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집, 2004

225

In-Situ Characterization of Electrochemical and Frictional Behaviors During Copper CMP
박진구
한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집, 2004

226

Cu CMP 공정중 Wafer 표면의 알루미나 연마입자의 점착
박진구
한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집, 2004

227

Ru CMP 공정에서의 화학액과 연마 입자 농도에 따른 연마율과 표면 특성
박진구
한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집, 2004

228

CMP 공정중 전기화학적 방법과 마찰력을 이용하여 Cu Wafer와 Disc의 특성 비교
박진구
한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집, 2004

229

Reaction of Ozone and H2O2 in NH4OH Solutions and Their Reaction with Silicon Wafers
박진구, 0, 0, 0
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES &, 2004

230

The Effects of Mechanical Properties of Polishing Pads on Oxide CMP(Chemical Mechanical Planarization)
박진구, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0
한국윤활학회지, 2004